5G時代，我們需要什么樣的晶圓？--全球CEO峰會精彩看點

發(fā)布時間：2022-03-10作者來源：薩科微瀏覽：2373

隨著5G的快速發(fā)展， RF半導(dǎo)體設(shè)計者都在挖空心思為5G系統(tǒng)尋找新材料和新設(shè)計/架構(gòu)。

圖1：5G系統(tǒng)需要新的半導(dǎo)體材料。

由于5G使用不同的高頻頻段來實現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸，因此5G RF前端模塊所需要的功率放大器、濾波器、開關(guān)、LNA和天線調(diào)諧器的需求量倍增，速度之快令人措手不及。對于智能手機(jī)設(shè)計者來說，龐大的零部件數(shù)量（其中許多仍是獨立部件）很讓人頭疼，他們必須將所有這些RF模塊全部塞到一部5G手機(jī)里。
5G智能手機(jī)開發(fā)商也擔(dān)心RF器件的質(zhì)量、散熱和能效問題，因為這些都可能降低RF前端模塊的性能。
“因此，越來越多的RF芯片設(shè)計公司都在尋找新的材料和襯底，以滿足5G RF的嚴(yán)格要求?！盨oitec公司CEO Paul Boudre先生表示，利用SOI技術(shù)，可為這些新興領(lǐng)域提供價格低、性能好、可靠性高的方案。

Soitec已經(jīng)在SOI晶圓方面取得了巨大成功，準(zhǔn)備進(jìn)軍化合物材料的新世界來擴(kuò)展其業(yè)務(wù)。Boudre提到，Soitec計劃為芯片廠商“開發(fā)、制造和提供基于Soitec工程襯底的新材料”。Soitec研發(fā)的新材料包括：

壓電絕緣體(POI)工程襯底——用于生產(chǎn)高性能表面聲波(SAW)濾波器組件，主要針對4G和5G新無線電(NR)波段。

硅基氮化鎵(GaN-on-Si)和碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)外延片。Soitec去年收購了位于比利時的Imect子公司EpiGaN，獲得了外延片開發(fā)和制造技術(shù)。通過將EpiGaN融入到公司中，同時購買必要的工具，Soitec計劃進(jìn)入需求龐大的5G GaN功率放大器市場。

Soitec將于今年開始交付碳化硅（SiC）晶圓樣品，這是基于其Smart Cut專有技術(shù)而開發(fā)的。

Soitec的Smart Cut工藝可讓Soitec工程師指定材料，并從這些材料上生長單晶層，然后將這些生長層從一個襯底轉(zhuǎn)移到另一個襯底。這樣就有可能形成晶圓片的活性層，獨立于支撐機(jī)械基底進(jìn)行控制管理。
Soitec公司CEO Paul Boudre先生已確認(rèn)參加2020年11月5日在深圳舉辦的ASPENCORE第三屆“全球CEO峰會”（點擊查看峰會介紹與報名），屆時將發(fā)表主題為《優(yōu)化襯底賦能邊緣計算》的精彩演講。
ASPENCORE 第三屆全球雙峰會依然選擇在全球包容性最強(qiáng)的深圳舉辦，邀請全球電子行業(yè)話語性最強(qiáng)的領(lǐng)袖人物聚集一堂，與全行業(yè)與會嘉賓和觀眾分享碰撞最熱門的技術(shù)話題，助力電子行業(yè)從業(yè)者把握市場未來。