IGBT模塊是如何進(jìn)行導(dǎo)通的？ ?? IGBT硅片的結(jié)構(gòu)與功率MOSFET非常相似。主要區(qū)別是IGBT增加了P襯底和N緩沖層(NPT-非穿通-IGBT技術(shù)不增加這部分)。一個(gè)MOSFET驅(qū)動(dòng)兩個(gè)雙極性器件。襯底的應(yīng)用在管的P和N區(qū)域之間產(chǎn)生了J1結(jié)。當(dāng)正柵極偏置使柵極下的P-基區(qū)反轉(zhuǎn)時(shí)，形成N溝道，同時(shí)出現(xiàn)電子電流，完全以功率MOSFET的方式產(chǎn)生電流。 ??如果這個(gè)電子流產(chǎn)生的電壓在0.7V的范圍內(nèi)，那么J1會(huì)正向偏置，一些空穴會(huì)注入到N區(qū)，調(diào)整陽(yáng)極和陰極之間的電阻率，減少了功率傳導(dǎo)的總損

IGBT及MOSFET隔離驅(qū)動(dòng)有哪些？ ?? IGBT和MOSFET隔離驅(qū)動(dòng)是可靠的驅(qū)動(dòng)絕緣柵器件，目前已經(jīng)有很多成熟的電路。當(dāng)不需要將驅(qū)動(dòng)信號(hào)與功率器件隔離時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)相對(duì)簡(jiǎn)單，目前有很多優(yōu)秀的驅(qū)動(dòng)集成電路。 ??1. 光耦合器隔離驅(qū)動(dòng)器 ?? 光耦合器的優(yōu)點(diǎn)是體積小，缺點(diǎn)是：a、反應(yīng)慢，所以延遲時(shí)間長(zhǎng)(高速光耦合器一般都在300ns以上)；光電耦合器的輸出級(jí)需要隔離的輔助電源。 ??2.無(wú)源變壓器驅(qū)動(dòng) ??用脈沖變壓器隔離驅(qū)動(dòng)絕緣柵功率器件有三種方式：無(wú)源、有源和自供電驅(qū)動(dòng)。

IGBT模塊的開(kāi)關(guān)損耗和性能有什么關(guān)系？ ??在 IGBT的發(fā)展中，要求功率開(kāi)關(guān)器件減少損耗，提高效率，改善性能。開(kāi)關(guān)器件的損耗可以分為兩類，一類是導(dǎo)通狀態(tài)正常(on-state)的器件損耗；另一個(gè)是從導(dǎo)通狀態(tài)到關(guān)斷狀態(tài)(從關(guān)斷狀態(tài)到導(dǎo)通狀態(tài))的開(kāi)關(guān)損耗。IGBT的主要技術(shù)特性是集電極-發(fā)射極飽和電壓VCE(sat)特性和開(kāi)關(guān)特性tf(關(guān)斷時(shí)間toff和導(dǎo)通時(shí)間ton之和)。IGBT的擊穿性能取決于阻塞性能、短路性能、di/dt和dv/dt性能。 ??(1)改善開(kāi)關(guān)特性的技術(shù) ??為改善開(kāi)

IGBT電源模塊 ?? IGBT功率模塊是由絕緣柵雙極晶體管(IGBT)組成的功率模塊。 ??由于IGBT模塊為mosfet結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過(guò)氧化膜與發(fā)射極電隔離，具有優(yōu)異的器件性能。廣泛應(yīng)用于伺服電機(jī)、變頻器、變頻家電等領(lǐng)域。 ??IGBT是一種先進(jìn)的第三代功率模塊，工作頻率為1-20khz，主要用于變頻器的主回路逆變器和所有逆變電路，即dc/ac轉(zhuǎn)換。例子包括電動(dòng)汽車、伺服控制器、ups、開(kāi)關(guān)電源、斬波電源、無(wú)軌電車等。至今已有十幾年的歷史，幾乎取代了其他所有功率器件，如scr.

隔離驅(qū)動(dòng)IGBT是什么功率器件？ 關(guān)于隔離驅(qū)動(dòng) IGBT功率器件，你了解多少呢？像IGBT這樣的功率器件，需要有充分的保護(hù)，避免如欠壓，缺失飽和，米勒效應(yīng)，過(guò)載，短路等造成的損害。那么隔離驅(qū)動(dòng)IGBT是什么功率器件呢？ ??1.有哪些故障保護(hù)功能？它們都集成在隔離驅(qū)動(dòng)器中嗎？ ??所有三種故……

使用 IGBT驅(qū)動(dòng)器需要注意什么？ ??近年來(lái)， IGBT這種新型的功率開(kāi)關(guān)器件逐漸被人們所認(rèn)識(shí)。與以往的電力電子器件相比，IGBT目前綜合性能優(yōu)勢(shì)明顯，越來(lái)越多地應(yīng)用于工作頻率在幾十千赫、輸出功率在幾千瓦至幾十千瓦的各種功率轉(zhuǎn)換器件。但是在IGBT的使用過(guò)程中，發(fā)現(xiàn)了很多影響IGBT推廣使用的問(wèn)題，其中之一就是IG……

什么是雙向 IGBT？ ??雙向 IGBT是業(yè)界針對(duì)常規(guī)IGBT在各種應(yīng)用中的一些不足而提出的一種新型五層四段結(jié)構(gòu)的雙向IGBT功率半導(dǎo)體器件。其核心是采用基于平面門IGBT的對(duì)稱機(jī)構(gòu)和雙向輸入控制方法，達(dá)到新裝置雙向控制的目的。雙向IGBT模塊是實(shí)現(xiàn)高頻矩陣變換器的一種非常有效的方法。與硬開(kāi)關(guān)脈寬調(diào)制轉(zhuǎn)換器略有不同……

如何判斷IGBT驅(qū)動(dòng)板的質(zhì)量？ ??驅(qū)動(dòng)板的檢測(cè)，通常驅(qū)動(dòng)板和主板與主電路，是分開(kāi)的也就是驅(qū)動(dòng)IC由電源供電，驅(qū)動(dòng)電路當(dāng)然可以分開(kāi)檢修；不用示波器，當(dāng)然可以檢測(cè)驅(qū)動(dòng)板的質(zhì)量；測(cè)試板，通常驅(qū)動(dòng)板和主板與主電路，分開(kāi)，即從逆變器外殼上拆下來(lái)，兩塊電路板連接起來(lái)為開(kāi)關(guān)電源供電，這樣就可以輸出各種控制電路，主板(包括顯……

二極管、 三極管和場(chǎng)效應(yīng)管中的哪一個(gè)在擊穿后會(huì)造成永久性損壞？ ??pn結(jié)的擊穿可分為雪崩擊穿、隧道擊穿和熱電擊穿。 ??前兩者一般沒(méi)有破壞性。如果反向電壓立即降低，pn結(jié)的性能可以恢復(fù)。如果不立即降低電壓，pn結(jié)將被破壞。當(dāng)對(duì)pn結(jié)施加反向電壓時(shí)，如果沒(méi)有良好的散熱條件，結(jié)的溫度會(huì)升高，反向電流會(huì)進(jìn)一步……

電磁爐中 IGBT的工作電壓為什么要選擇1200V電壓規(guī)格？ ??220V市電的波動(dòng)范圍是5%，加10%保險(xiǎn)系數(shù)，為15%，220 X115%=253V，一般用265V交流電。經(jīng)過(guò)整流濾波后，直流電壓就是公式圖×265= 374V。 ??在電磁爐中， IGBT的負(fù)載是鍋底的線圈，它是一……

貼片LED有哪些特點(diǎn)？ ??貼片LED主要應(yīng)用于照明系統(tǒng)、裝飾、電子器件指示器、背光、顯示和儀器儀表等領(lǐng)域。那么 貼片LED有哪些特點(diǎn)呢？ ??(1)發(fā)光原理屬于冷發(fā)光，而不是通過(guò)加熱或放電發(fā)光，所以元器件的使用壽命比鎢絲燈泡長(zhǎng)50~100倍左右，約10萬(wàn)小時(shí)。 ??(2)無(wú)需暖燈，照明響應(yīng)速度快于普通……

貼片LED的注意事項(xiàng) ??貼片LED，也叫貼片式LED，是一種簡(jiǎn)單的燈。它的發(fā)光原理是電流通過(guò)化合物半導(dǎo)體，多余的能量會(huì)通過(guò)電子和空穴的結(jié)合以光的形式釋放出來(lái)，從而達(dá)到發(fā)光效果。 ??1.清潔，不要使用未知化學(xué)液體清潔芯片LED:未知化學(xué)液體可能會(huì)損壞芯片LED。需要清洗時(shí)，將 貼片LED浸入酒精中，……